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      集成電路制造工藝員(三級)單項選擇題每日一練(2019.01.16)

      • 單項選擇題

        在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中,硼在950~1100℃的條件下,擴(kuò)散時間大約()為宜。

        A.4~6h
        B.50min~2h
        C.10~40min
        D.5~10min

      • 單項選擇題

        單晶硅刻蝕一般采用()做掩蔽層,以氟化氫為主要的刻蝕劑,氧氣為側(cè)壁鈍化作用的媒介物。

        A.氮化硅
        B.二氧化硅
        C.光刻膠
        D.多晶硅

      • 單項選擇題

        Torr是指()的單位。

        A.真空度
        B.磁場強(qiáng)度
        C.體積
        D.溫度

      • 單項選擇題

        在直流二極管輝光放電系統(tǒng)的玻璃管中,自由電子在碰撞氬原子之前可運(yùn)動的平均距離又叫()。

        A.平均運(yùn)動范圍
        B.平均速度
        C.平均碰撞距離
        D.平均自由程

      • 單項選擇題

        用真空蒸發(fā)與濺射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金屬材料,是形成電極的()。

        A.重要步驟
        B.次要步驟
        C.首要步驟
        D.不一定

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