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集成電路制造工藝員（三級）單項選擇題每日一練(2019.01.16)

來源：考試資料網(wǎng)

1 在熱擴散工藝中的預淀積步驟中，硼在950～1100℃的條件下，擴散時間大約（）為宜。

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2 單晶硅刻蝕一般采用（）做掩蔽層，以氟化氫為主要的刻蝕劑，氧氣為側(cè)壁鈍化作用的媒介物。

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3 Torr是指（）的單位。

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4 在直流二極管輝光放電系統(tǒng)的玻璃管中，自由電子在碰撞氬原子之前可運動的平均距離又叫（）。

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5 用真空蒸發(fā)與濺射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金屬材料，是形成電極的（）。

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