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集成電路制造工藝員（三級）單項選擇題每日一練(2019.01.14)

來源：考試資料網(wǎng)

1 沾污引起的電學(xué)缺陷引起（），硅片上的管芯報廢以及很高的芯片制造成本。

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2 （）是因為吸附原子在晶片表面上彼此碰撞并結(jié)合所形成的。

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3 離子束垂直進入均勻的正交磁場后，將同時受到電場力和（）的作用。

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4 TCP/IP協(xié)議中的TCP相當(dāng)于OSI中的（）。

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5 干氧氧化中，氧化爐內(nèi)的氣體壓力應(yīng)（）一個大氣壓。

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