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每日一練
章節(jié)練習
太陽能技術太陽能光伏發(fā)電技術填空題每日一練(2019.12.24)
來源：考試資料網(wǎng)
1.填空題
工業(yè)中單晶硅的制備方法主要有（）和區(qū)熔法（FZ法）
參考答案：
直拉單晶法（CZ法或切克勞斯基法）
2.填空題
GaAs或InP太陽能電池由于（）且有（），作為空間太陽能電池已被實用化。
參考答案：
高效率；優(yōu)良的耐放射性
3.填空題
CIGS模板的轉(zhuǎn)換率一般為（）左右。
參考答案：
10%
4.填空題
CIS的禁帶寬度為（），是與太陽能電池最適宜的禁帶寬度1.4ev偏小的值
參考答案：
1.0ev
5.填空題
被大氣吸收的太陽輻射能大約占到達地球范圍內(nèi)的太陽總輻射能量的（）。
參考答案：
二十億分之一
