多項選擇題降溫法生長關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。
A.精確控制降溫速率
B.合理的供熱方式和攪拌程序
C.輕放輕取不引入應(yīng)力
D.選擇合理的生長速率
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1.單項選擇題膜層與基片的結(jié)合強(qiáng)度相比較：（）。
A.蒸鍍〉濺射〉離子鍍
B.蒸鍍〉濺射〈離子鍍
C.蒸鍍〈濺射〉離子鍍
D.蒸鍍〈濺射〈離子鍍
2.單項選擇題氣相生長晶體的關(guān)鍵是（）
A.嚴(yán)格選擇和控制生長條件
B.溫場的合理設(shè)計
C.儀器控制靈敏
D.外界環(huán)境振動干擾較少
3.單項選擇題氣相生長的基本原理：氣相原子或分子運動到晶體表面，在一定的條件下被晶體吸收，形成穩(wěn)定的（）。俘獲吸附原子，臺階運動蔓延整個表面，便生長一層晶體薄膜。
A.二維晶核
B.臺階
C.扭折
D.團(tuán)簇
4.單項選擇題什么是非奇異面？（）
A.取向在奇異面鄰近的晶面
B.表面能級圖中極小值的點所對應(yīng)的晶面
C.表面能級圖中極大值的點所對應(yīng)的晶面
D.除了奇異面和鄰位面以外的面
5.單項選擇題不同金屬由于結(jié)構(gòu)不同，其能量表面能最低晶面也不相同，K，Na金屬為體心立方結(jié)構(gòu)，其最小奇異面是（）
A.｛100｝面
B.｛111｝面
C.｛110｝面
D.｛112｝面
最新試題
降溫法生長關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。
題型：多項選擇題
低維材料主要包括（）
題型：多項選擇題
膜層與基片的結(jié)合強(qiáng)度相比較：（）。
題型：單項選擇題
提拉法生長單晶體的優(yōu)點有（）
題型：多項選擇題
凝聚開始的條件主要取決于（）
題型：多項選擇題
完全光滑界面的生長是通過（）而進(jìn)行的。
題型：單項選擇題
利用電鍍得到的膜層疏松多孔，而且結(jié)合不良。怎樣改善膜層的結(jié)合力？（）
題型：單項選擇題
氣相生長晶體的關(guān)鍵是（）
題型：單項選擇題
晶體生長大致可以分為晶核的（）兩個階段。
題型：多項選擇題
使參與反應(yīng)的氣態(tài)源交替地以脈沖方式分別射向襯底進(jìn)行外延生長的方法是（）
題型：單項選擇題