問(wèn)答題簡(jiǎn)述離子注入的通道效應(yīng)和減小通道效應(yīng)的方法
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1.填空題離子注入的兩種阻滯機(jī)制：（）
2.問(wèn)答題離子注入工藝和擴(kuò)散工藝相比的優(yōu)點(diǎn)
3.名詞解釋平均自由程
4.名詞解釋分解碰撞
5.名詞解釋激發(fā)-松弛碰撞
最新試題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
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新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
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進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
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目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
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硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
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芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。
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摻雜后，退火的目的是（）。
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CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。
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光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題