渦流擴散是在有濃度差異條件下，物質(zhì)通過渦流流體的傳遞過程。

表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內(nèi)的晶格常數(shù)，而晶胞結(jié)構(gòu)變化，這種情況稱為馳豫。

CVD 裝置通?？梢杂蓺庠纯刂撇考?、沉積反應室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。

強制對流是自流體因溫度或濃度所產(chǎn)生的密度差所導致的。

雙膜理論中在膜層以外的氣、液兩相主體中，由于流體充分湍動，吸收質(zhì)濃度是不均勻的。

高溫反應受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。

溫度的高低不必用數(shù)字來說明，溫標是溫度的數(shù)值表示方法。

MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。

簡述雜質(zhì)對擴散的影響。

簡述熱電偶真空規(guī)測量原理。