當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。