1、晶圓進(jìn)入 2、溫度急升 3、溫度趨穩(wěn) 4、退火 5、晶圓冷卻 6、晶圓退出
1、時間與溫度，恒定表面源主要是時間。 2、硅晶體中存在其他類型的點(diǎn)缺陷
1、原生氧化層 2、屏蔽氧化層 3、遮蔽氧化層 4、場區(qū)和局部氧化層 5、襯墊氧化層 6、犧牲氧化層 7、柵極氧化層 8、阻擋氧化層
最新試題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
摻雜后退火時間一般在（）。
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
互連工藝中AL的制備可選用（）。