目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

從天然硅中獲得達到生產半導體器件所需純度的SGS要經過（）等步驟。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。