MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。

簡述特殊活性原料的獲得方法及效果。

CVD 裝置通?？梢杂蓺庠纯刂撇考?、沉積反應室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。

低壓下從石墨轉(zhuǎn)變成金剛石是一個典型的反自發(fā)方向進行的反應，它依靠自發(fā)的氫原子耦合反應的推動來實現(xiàn)。

渦流擴散是在有濃度差異條件下，物質(zhì)通過渦流流體的傳遞過程。

吸附平衡關(guān)系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據(jù)。

強制對流是自流體因溫度或濃度所產(chǎn)生的密度差所導致的。

在CVD 技術(shù)中反應劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質(zhì)，且有很高的純度。

高壓高溫合成法目的是尋求經(jīng)卸壓降溫后的高壓高溫合成產(chǎn)物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結(jié)構(gòu)和性能的新材料。

高壓合成，就是利用外加的高壓力，使物質(zhì)產(chǎn)生多型相變或發(fā)生不同物質(zhì)間的化合，而得到新相、新化合物或新材料。