問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】試解釋Power MOSFET的開(kāi)關(guān)頻率高于GTR、IGBT、GTO。

答案： Power MOSFET為單極性器件，沒(méi)有少數(shù)載流子存貯效應(yīng)，反向恢復(fù)時(shí)間很短。

你可能感興趣的試題

問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】Power MOSFET和GTR哪個(gè)易于并聯(lián)，為什么？

答案： Power MOSFET更易于并聯(lián)，其導(dǎo)通溝道電阻為正溫度系數(shù)。

問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】為什么GTO的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通晶閘管相似，但卻可以通過(guò)施加門(mén)極負(fù)電流使其關(guān)斷？

答案： GTO是一種多元的功率集成器件，內(nèi)部包含數(shù)十個(gè)甚至數(shù)百個(gè)共陽(yáng)極的小GTO元，這些GTO元的陰極和門(mén)極則在器件內(nèi)部并聯(lián)在一...