如圖所示，導(dǎo)線ab在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中可沿平行金屬導(dǎo)軌向左或向右移動(dòng)，為了使電阻R上獲得由d向c的電流，導(dǎo)線ab的運(yùn)動(dòng)情況可以是（）。
A.向左做加速運(yùn)動(dòng)
B.向左做減速運(yùn)動(dòng)
C.向右做加速運(yùn)動(dòng)
D.向右做減速運(yùn)動(dòng)
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通電直導(dǎo)線與閉合矩形線框位于同一平面內(nèi)，通電導(dǎo)線通有方向自左向右的電流I0。為了使線框產(chǎn)生如圖所示的感應(yīng)電流，可以采取的措施是（）。
A.I0增強(qiáng)
B.I0減弱
C.線框向右平動(dòng)
D.線框向下平
如圖所示，MNPQ金屬框與勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感線垂直放置且固定，帶有金屬桿的金屬框abcd放置在MNPQ框上，兩線框接觸良好，當(dāng)abcd金屬框向右滑動(dòng)時(shí)，下列說(shuō)法中正確的是（）。
A.MNPQ框內(nèi)沒(méi)有感應(yīng)電流，因?yàn)榭騼?nèi)磁通量沒(méi)有變化
B.abcd框內(nèi)沒(méi)有感應(yīng)電流，因?yàn)榭騼?nèi)磁通量沒(méi)有變化
C.abcd框內(nèi)感應(yīng)電流在其左、右兩邊中從下向上流
D.MNPQ框內(nèi)感應(yīng)電流在其左、右兩邊中從上向下流
矩形線圈abcd從圖所示的位置由靜止開始運(yùn)動(dòng)，若cd邊所受磁場(chǎng)力方向垂直cd邊向下，則線圈的運(yùn)動(dòng)情況可能是（）。
A.向右平動(dòng)（bc邊未進(jìn)入磁場(chǎng)）
B.向左平動(dòng)（bc邊未離開磁場(chǎng)）
C.以bc邊為軸轉(zhuǎn)動(dòng)（轉(zhuǎn)角小于90°），ad未進(jìn)入磁場(chǎng)
D.以ad邊為軸轉(zhuǎn)動(dòng)（轉(zhuǎn)角小于90°），bc邊未出磁場(chǎng)
閉合電路中的一段導(dǎo)體，在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中以v所示方向運(yùn)動(dòng)時(shí)，導(dǎo)體內(nèi)通過(guò)的感應(yīng)電流方向?yàn)镮，圖中正確表示了以上三個(gè)量的方向關(guān)系是（）。
A.A
B.B
C.C
D.D
如下圖所示，矩形線框abcd通過(guò)與之相連的硬導(dǎo)線搭接在金屬導(dǎo)軌MEFN上，整個(gè)裝置放在與之垂直的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，當(dāng)線框向右運(yùn)動(dòng)時(shí)（）。
A.R中無(wú)電流通過(guò)
B.R中有電流通過(guò)，方向?yàn)镋→F
C.R中有電流通過(guò)，方向?yàn)镕→E
D.線框邊ab與cd中的電流方向相同
最新試題
阻抗Z 的實(shí)部R 稱為電阻，Z 的虛部X 稱為感抗。
金屬鋁、銀、銅、鐵在冷加工后，電阻一直隨著退火溫度的升高而下降。
當(dāng)冷變形度超過(guò)10%時(shí)，電阻稍有增加，通常純金屬由冷變形引起的電阻的增加約為2～6%。
石墨非金屬材料，沒(méi)有導(dǎo)電能力，因此不能采用渦流技術(shù)進(jìn)行檢測(cè)。
在無(wú)限長(zhǎng)載流空心螺線管內(nèi)同軸地插入一小塊圓柱形順磁介質(zhì)。若點(diǎn)1、2分別為圓柱介質(zhì)中靠近柱面而分別在柱面兩邊的兩個(gè)點(diǎn)，設(shè)點(diǎn)1、2處的磁感強(qiáng)度分別為B1、B2，磁場(chǎng)強(qiáng)度分別為H1、H2，則它們之間的關(guān)系為（）
特征頻率是電磁檢測(cè)時(shí)應(yīng)采用的最佳試驗(yàn)頻率。
石墨材料具有一定的導(dǎo)電能力，與硅、鍺元素同屬半導(dǎo)體，但是不能采用渦流技術(shù)檢測(cè)石墨及其復(fù)合材料制品。
溫度升高，導(dǎo)致自由電子與金屬晶格中的正離子碰撞加劇，使電導(dǎo)率值變小。
電導(dǎo)率引起有效磁導(dǎo)率發(fā)生變化的效應(yīng)處于阻抗曲線的切線方向。
理論上講，渦流在導(dǎo)體中的透入深度與渦流的頻率和導(dǎo)體的電磁特性有關(guān)，與激勵(lì)信號(hào)的強(qiáng)度無(wú)關(guān)。