高溫反應受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。

CVD 工藝希望反應氣體以湍流的形式流動。

利用熱電偶的電勢與加熱元件的溫度有關，元件的溫度又與氣體的熱傳導有關，熱傳導量又與壓力成反比的原理來測量真空度的真空計。

簡述雜質對擴散的影響。

吸附質從流體主體通過分子與對流擴散穿過薄膜或邊界層傳遞到吸附劑的外表面，稱之為外擴散過程。

渦流擴散是在有濃度差異條件下，物質通過渦流流體的傳遞過程。

活性炭對物質的吸附是對極性基團少的化合物的吸附力大于極性基團多的化合物。

吸附平衡關系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據(jù)。

MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。

低壓下從石墨轉變成金剛石是一個典型的反自發(fā)方向進行的反應，它依靠自發(fā)的氫原子耦合反應的推動來實現(xiàn)。