單項(xiàng)選擇題MOS場(chǎng)效應(yīng)管的高頻小信號(hào)電路模型，適合分析下列哪種情況（）

A.輸入信號(hào)很大
B.輸出信號(hào)很大
C.輸入輸出信號(hào)都很大
D.輸入輸出信號(hào)都很小


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1.單項(xiàng)選擇題場(chǎng)效應(yīng)管本質(zhì)上是一個(gè)（）

A.電流控制電流源器件
B.電壓控制電流源器件
C.電流控制電壓源器件
D.電壓控制電壓源器件

2.單項(xiàng)選擇題三極管工作在飽和區(qū)，要求（）

A.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏
B.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏
C.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏
D.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏

3.單項(xiàng)選擇題衡量雙極型三極管放大能力的參數(shù)是（）

A.ICBO
B.β
C.ICEO
D.VBE（on）

4.單項(xiàng)選擇題當(dāng)半導(dǎo)體二極管的反向擊穿電壓小于6V時(shí)，主要發(fā)生何種擊穿（）

A.雪崩擊穿
B.齊納擊穿
C.熱擊穿
D.碰撞擊穿

5.單項(xiàng)選擇題P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中加入以下何種物質(zhì)后形成的（）

A.電子
B.空穴
C.三價(jià)硼元素
D.五價(jià)磷元素