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A.大，因?yàn)榇诺母飨虍愋孕?yīng)，使乙烯質(zhì)子處在屏蔽區(qū)，乙炔質(zhì)子處在去屏蔽區(qū)
B.大，因?yàn)榇诺母飨虍愋孕?yīng)，使乙烯質(zhì)子處在去屏蔽區(qū)，乙炔質(zhì)子處在屏蔽區(qū)
C.小，因?yàn)榇诺母飨虍愋孕?yīng)，使乙烯質(zhì)子處在去屏蔽區(qū)，乙炔質(zhì)子處在屏蔽區(qū)
D.小，因?yàn)榇诺母飨虍愋孕?yīng)，使乙烯質(zhì)子處在屏蔽區(qū)，乙炔質(zhì)子處在去屏蔽區(qū)

A.掃場(chǎng)下的高場(chǎng)和掃頻下的高頻，較小的化學(xué)位移值（δ）
B.掃場(chǎng)下的高場(chǎng)和掃頻下的低頻，較小的化學(xué)位移值（δ）
C.掃場(chǎng)下的低場(chǎng)和掃頻下的高頻，較大的化學(xué)位移值（δ）
D.掃場(chǎng)下的低場(chǎng)和掃頻下的低頻，較大的化學(xué)位移值（δ）