根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。