填空題離子注入在襯底中產(chǎn)生的損傷主要有()等三種。
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從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過()等步驟。
題型:多項(xiàng)選擇題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施?
題型:問答題
規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么?
題型:問答題
什么是MOS器件的體效應(yīng)?
題型:問答題
目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些?
題型:問答題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
題型:問答題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)?
題型:問答題
設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路,寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型:問答題
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
題型:問答題
MOS場效應(yīng)管(MOSFET)在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受,從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
題型:多項(xiàng)選擇題