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常規(guī)集成電路平面制造工藝主要由()、()、()、()、()等工藝手段組成。
答案:
光刻;氧化;擴散;刻蝕;離子注入(外延、CVD、PVD)
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濕法腐蝕的特點是()、()、()、()。
答案:
選擇比高;工藝簡單;各向同性;線條寬度難以控制
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填空題
濕法腐蝕Si所用溶液有()、()等,腐蝕SiO
2
常用的腐蝕劑是(),腐蝕Si
3
N
4
常用的腐蝕劑是()。
答案:
硝酸-氫氟酸-醋酸(或水)混合液;KOH溶液;HF溶液;磷酸
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