判斷題熱氧化過程中是硅向二氧化硅外表面運(yùn)動,在二氧化硅表面與氧化劑反應(yīng)生成二氧化硅。
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MOS場效應(yīng)管(MOSFET)在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受,從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
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在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。
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說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
題型:問答題
由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品,又被稱為()。
題型:多項(xiàng)選擇題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)?
題型:問答題
編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么?
題型:問答題
根據(jù)圖,給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
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什么是電阻率?它的單位是什么(國際標(biāo)準(zhǔn)單位制)?
題型:問答題
目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些?
題型:問答題
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的()材料等。
題型:多項(xiàng)選擇題