MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。