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基區(qū)主擴(kuò)散屬于有限表面源擴(kuò)散。
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判斷題
預(yù)淀積擴(kuò)散是為了提供足夠的雜質(zhì)總量,而再分布擴(kuò)散是為了達(dá)到需要的擴(kuò)散深度并同時在硅的表面獲得一定厚度的氧化層。
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判斷題
二氧化硅膜能有效的對擴(kuò)散雜質(zhì)起掩蔽作用的基本條件是雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散系數(shù)大于在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)。
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