由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。