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基區(qū)主擴散屬于有限表面源擴散。
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預淀積擴散是為了提供足夠的雜質(zhì)總量,而再分布擴散是為了達到需要的擴散深度并同時在硅的表面獲得一定厚度的氧化層。
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二氧化硅膜能有效的對擴散雜質(zhì)起掩蔽作用的基本條件是雜質(zhì)在硅中的擴散系數(shù)大于在二氧化硅中的擴散系數(shù)。
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