集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。