有效磁導(dǎo)率μeff是一個(gè)完全取決于頻率比f /fg的大小的參數(shù)。

福斯特提出有效磁導(dǎo)率，用變化的磁場(chǎng)Hz和恒定的磁導(dǎo)率μ替代了實(shí)際上恒定的磁場(chǎng)H0和變化的磁導(dǎo)率。

溫度升高會(huì)導(dǎo)致自由電子與金屬晶格中的正離子碰撞加劇，使電阻增大，電阻與溫度之間存在線性關(guān)系。

金屬在壓應(yīng)力作用下，由于原子振幅的減小，導(dǎo)致電導(dǎo)率減小。

當(dāng)冷變形度超過10%時(shí)，電阻稍有增加，通常純金屬由冷變形引起的電阻的增加約為2～6%。

附圖中，M、P、O為由軟磁材料制成的棒，三者在同一平面內(nèi)，當(dāng)K閉合后，（）。

多相合金的居里點(diǎn)和相的成分有關(guān)，合金中有幾個(gè)鐵磁相，相應(yīng)的就有幾個(gè)居里點(diǎn)。

溫度升高，導(dǎo)致自由電子與金屬晶格中的正離子碰撞加劇，使電導(dǎo)率值變小。

雜質(zhì)會(huì)導(dǎo)致金屬晶格的畸變，造成電子散射，使電導(dǎo)率增加。

阻抗歸一化方法消除了原邊線圈阻抗以及激勵(lì)頻率對(duì)曲線位置的影響。