有一接地的金屬球，用一彈簧吊起，金屬球原來不帶電，若在它的下方放置一電量為q的點(diǎn)電荷，如圖所示，則（）
A.只有當(dāng)q>0時(shí)，金屬球才下移
B.只有當(dāng)q<0時(shí)，金屬球才下移
C.無論q是正是負(fù)金屬球都下移
D.無論q是正是負(fù)金屬球都不動(dòng)
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在一點(diǎn)電荷產(chǎn)生的靜電場中，一塊電介質(zhì)如圖所示放置，以點(diǎn)電荷所在處為球心做一球形閉合面，則對(duì)此球形閉合面（）
A.高斯定理成立，且可用它求出閉合面上各點(diǎn)的場強(qiáng)
B.高斯定理成立，但不能用它求出閉合面上各點(diǎn)的場強(qiáng)
C.由于電介質(zhì)不對(duì)稱分布，高斯定理不成立
D.即使電介質(zhì)對(duì)稱分布，高斯定理也不成立
A.C1和C2極板上電量都不變
B.C1極板上電量增大，C2極板上電量不變
C.C1極板上電量增大，C2極板上電量減少
D.C1極板上電量減少，C2極板上電量增大
如圖，有N個(gè)電量均為q的點(diǎn)電荷，以兩種方式分布在相同半徑的圓周上，一種是無規(guī)則地分布，另一種是均勻分布，比較這兩種情況下在過圓心O并垂直于圓平面的z軸上任一點(diǎn)P的場強(qiáng)與電勢，則有（）
A.場強(qiáng)不等，電勢不等
B.場強(qiáng)相等，電勢相等
C.場強(qiáng)分量Ez相等，電勢相等
D.場強(qiáng)分量Ez相等，電勢不等
A.E相同，U不同
B.E不同，U相同
C.E不同，U不同
D.E相同，U相同
電場強(qiáng)度為E的均勻電場，E的方向與x軸正向平行，如圖所示，則通過圖中一半徑為R的半球面的電場強(qiáng)度通量為（）
A.
B.
C.
D.0
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石墨非金屬材料，沒有導(dǎo)電能力，因此不能采用渦流技術(shù)進(jìn)行檢測。
特征頻率是工件的一個(gè)固有特性，與工件自身的電磁特性和幾何尺寸無關(guān)。
溫度升高，導(dǎo)致自由電子與金屬晶格中的正離子碰撞加劇，使電導(dǎo)率值變小。
附圖中，M、P、O為由軟磁材料制成的棒，三者在同一平面內(nèi)，當(dāng)K閉合后，（）。
對(duì)于非鐵磁性材料來說，相同的磁場強(qiáng)度引起的變化，要比鐵磁材料小得多，而其回線是直線，沒有飽和與滯后現(xiàn)象。磁滯現(xiàn)象是鐵磁性材料磁化所特有的現(xiàn)象。
福斯特提出有效磁導(dǎo)率，用變化的磁場Hz和恒定的磁導(dǎo)率μ替代了實(shí)際上恒定的磁場H0和變化的磁導(dǎo)率。
純金屬具有規(guī)則的晶格，因此電阻率很小，若雜質(zhì)含量極少，則不會(huì)導(dǎo)致金屬晶格的畸變，造成電子散射，不影響電阻率。
理論上講，渦流在導(dǎo)體中的透入深度與渦流的頻率和導(dǎo)體的電磁特性有關(guān)，與激勵(lì)信號(hào)的強(qiáng)度無關(guān)。
有效磁導(dǎo)率μeff是一個(gè)完全取決于頻率比f /fg的大小的參數(shù)。
石墨材料具有一定的導(dǎo)電能力，與硅、鍺元素同屬半導(dǎo)體，但是不能采用渦流技術(shù)檢測石墨及其復(fù)合材料制品。