A.介質(zhì)內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度為零
B.介質(zhì)內(nèi)與介質(zhì)外的電場(chǎng)強(qiáng)度相等
C.介質(zhì)內(nèi)的場(chǎng)強(qiáng)比介質(zhì)外的場(chǎng)強(qiáng)小
D.介質(zhì)內(nèi)的場(chǎng)強(qiáng)比介質(zhì)外的場(chǎng)強(qiáng)大
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A.處處為零
B.不一定為零
C.一定不為零
A.不變化
B.平均分配
C.不平均分配
A.電場(chǎng)強(qiáng)度空間分布為已知時(shí);空間各點(diǎn)的電勢(shì)值將唯一確定
B.電勢(shì)空間分布為已知時(shí);空間各點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度值將唯一確定
C.在等勢(shì)面上,某些特殊點(diǎn)處的電場(chǎng)線可以不垂直等勢(shì)面上
D.在渦旋電場(chǎng)中,電勢(shì)仍然有意義
如圖,在充電后的平板電容器中插入電介質(zhì),則()
A.在1、2區(qū)部分,電容極板上的自由電荷面密度相同
B.在1、2區(qū)部分,兩電容極板間的電壓相同
C.在1、2區(qū)部分,兩電容極板間的電場(chǎng)強(qiáng)度不同
D.在1、2區(qū)部分,對(duì)應(yīng)的電位移矢量大小相同
A.F/2
B.F/4
C.3F/8
D.F/10
最新試題
請(qǐng)用文字解釋:假設(shè)在空間里沒(méi)有其他電荷源的情況下,為什么多個(gè)帶電導(dǎo)體同時(shí)存在時(shí),每個(gè)導(dǎo)體內(nèi)部都無(wú)電場(chǎng)。
雜質(zhì)會(huì)導(dǎo)致金屬晶格的畸變,造成電子散射,使電導(dǎo)率增加。
當(dāng)冷變形度超過(guò)10%時(shí),電阻稍有增加,通常純金屬由冷變形引起的電阻的增加約為2~6%。
多相合金的居里點(diǎn)和相的成分有關(guān),合金中有幾個(gè)鐵磁相,相應(yīng)的就有幾個(gè)居里點(diǎn)。
石墨非金屬材料,沒(méi)有導(dǎo)電能力,因此不能采用渦流技術(shù)進(jìn)行檢測(cè)。
金屬在壓應(yīng)力作用下,由于原子振幅的減小,導(dǎo)致電導(dǎo)率減小。
理論上講,渦流在導(dǎo)體中的透入深度與渦流的頻率和導(dǎo)體的電磁特性有關(guān),與激勵(lì)信號(hào)的強(qiáng)度無(wú)關(guān)。
金屬鋁、銀、銅、鐵在冷加工后,電阻一直隨著退火溫度的升高而下降。
福斯特提出有效磁導(dǎo)率,用變化的磁場(chǎng)Hz和恒定的磁導(dǎo)率μ替代了實(shí)際上恒定的磁場(chǎng)H0和變化的磁導(dǎo)率。
有效磁導(dǎo)率μeff是一個(gè)完全取決于頻率比f(wàn) /fg的大小的參數(shù)。