A.H只與傳導(dǎo)電流有關(guān)
B.在弱磁質(zhì)中，不論是抗磁質(zhì)還是順磁質(zhì)，B與H的方向總是相同
C.當(dāng)傳導(dǎo)電流分布對稱時，可以由安培定律計(jì)算磁介質(zhì)中的磁場
D.以上說法都不正確
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半徑為R的圓形平行板電容器接在角頻率為的簡諧交流電路中，極板上電荷
，則電容器極板間的位移電流ID為（）
A.
B.
C.
D.
A.比真空的磁導(dǎo)率略小
B.比真空的磁導(dǎo)率略大
C.遠(yuǎn)小于真空的磁導(dǎo)率
D.遠(yuǎn)大于真空的磁導(dǎo)率
如圖，MN代表兩磁介質(zhì)邊界，邊界上沒有傳導(dǎo)電流，則（）
A.
B.
C.
D.
A.安培力做正功，系統(tǒng)磁能增加
B.安培力做負(fù)功，系統(tǒng)磁能減小
C.安培力做正功，系統(tǒng)磁能降低
D.安培力做負(fù)功，系統(tǒng)磁能增加
如圖所示中一均勻磁化的環(huán)形永磁體，磁化強(qiáng)度為M，環(huán)內(nèi)的磁場強(qiáng)度為H1。若把環(huán)割出一很小的氣隙，氣隙中的磁場強(qiáng)度為H2，則（）
A.
B.
C.
D.
最新試題
有效磁導(dǎo)率μeff是一個完全取決于頻率比f /fg的大小的參數(shù)。
金屬氧化物雖由金屬經(jīng)氧化而得，都能保持原來的導(dǎo)電性。
金屬在壓應(yīng)力作用下，由于原子振幅的減小，導(dǎo)致電導(dǎo)率減小。
電導(dǎo)率引起有效磁導(dǎo)率發(fā)生變化的效應(yīng)處于阻抗曲線的切線方向。
石墨材料具有一定的導(dǎo)電能力，與硅、鍺元素同屬半導(dǎo)體，但是不能采用渦流技術(shù)檢測石墨及其復(fù)合材料制品。
多相合金的居里點(diǎn)和相的成分有關(guān)，合金中有幾個鐵磁相，相應(yīng)的就有幾個居里點(diǎn)。
兩種鐵磁性物質(zhì)組成固溶體時，它們飽和磁化強(qiáng)度的隨著固溶體的濃度增加而單調(diào)增加。
溫度升高，導(dǎo)致自由電子與金屬晶格中的正離子碰撞加劇，使電導(dǎo)率值變小。
電阻值愈小的材料，導(dǎo)電性能就愈好。
當(dāng)冷變形度超過10%時，電阻稍有增加，通常純金屬由冷變形引起的電阻的增加約為2～6%。