A. E正比于f
B. E反比于q0
C. E正比于f且反比于q0
D.電場強度E是由產(chǎn)生電場的電荷所決定的，不以試驗電荷q0及其受力的大小決定
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A.試驗電荷是電量極小的正電荷
B.試驗電荷是體積極小的正電荷
C.試驗電荷是體積和電量都極小的正電荷
D.試驗電荷是電量足夠小，以至于它不影響產(chǎn)生原電場的電荷分布，從而不影響原電場
棒狀發(fā)射天線，其上的傳導(dǎo)電流為
，下述哪一種表述是不正確的。（）
A.天線頂端一定存在電荷
B.天線周圍一定存在位移電流
C.位移電流與導(dǎo)線上的自由電荷無任何關(guān)系
D.以上表述都對
A.渦旋電場、磁感應(yīng)強度在閉合曲面上的通量恒為零
B.在任意條件下，渦旋電場線始終閉合
C.在任意條件下，傳導(dǎo)電流密度在閉合曲面上的通量不為零
D.某一矢量在閉合曲面上的通量為零，表明該矢量線閉合
A.變化的電場產(chǎn)生的磁場，一定也變化
B.變化的磁場產(chǎn)生的電場，一定也變化
C.有電流就有磁場，無電流就一定無磁場
D.變化的電場產(chǎn)生的磁場，磁場不一定變化
A.位移電流是由變化電場產(chǎn)生的
B.位移電流是由變化磁場產(chǎn)生的
C.位移電流的熱效應(yīng)服從焦耳-楞次定律
D.位移電流的磁效應(yīng)不服從安培環(huán)路定理
最新試題
福斯特提出有效磁導(dǎo)率，用變化的磁場Hz和恒定的磁導(dǎo)率μ替代了實際上恒定的磁場H0和變化的磁導(dǎo)率。
不同鐵磁性材料的飽和磁滯回線所包圍的面積是不同的，軟磁性材料的磁滯回線形狀肥大，包圍的面積大，表示其磁化困難。
經(jīng)歸一化處理后的阻抗圖曲線以一系列影響阻抗的因素（如電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率等）作參量。
理論上講，渦流在導(dǎo)體中的透入深度與渦流的頻率和導(dǎo)體的電磁特性有關(guān)，與激勵信號的強度無關(guān)。
有效磁導(dǎo)率μeff是一個完全取決于頻率比f /fg的大小的參數(shù)。
鐵磁性圓柱試件和非鐵磁性圓柱試件半徑的變化在復(fù)阻抗平面上的效應(yīng)方向是一致的。
溫度升高會導(dǎo)致自由電子與金屬晶格中的正離子碰撞加劇，使電阻增大，電阻與溫度之間存在線性關(guān)系。
非鐵磁性材料也存在磁滯現(xiàn)象相，但要比鐵磁材料小得多。
石墨非金屬材料，沒有導(dǎo)電能力，因此不能采用渦流技術(shù)進(jìn)行檢測。
特征頻率是電磁檢測時應(yīng)采用的最佳試驗頻率。