純金屬具有規(guī)則的晶格，因此電阻率很小，若雜質含量極少，則不會導致金屬晶格的畸變，造成電子散射，不影響電阻率。

理論上講，渦流在導體中的透入深度與渦流的頻率和導體的電磁特性有關，與激勵信號的強度無關。

溫度升高，導致自由電子與金屬晶格中的正離子碰撞加劇，使電導率值變小。

雜質會導致金屬晶格的畸變，造成電子散射，使電導率增加。

石墨材料具有一定的導電能力，與硅、鍺元素同屬半導體，但是不能采用渦流技術檢測石墨及其復合材料制品。

在無限長載流空心螺線管內同軸地插入一小塊圓柱形順磁介質。若點1、2分別為圓柱介質中靠近柱面而分別在柱面兩邊的兩個點，設點1、2處的磁感強度分別為B1、B2，磁場強度分別為H1、H2，則它們之間的關系為（）

阻抗歸一化方法消除了原邊線圈阻抗以及激勵頻率對曲線位置的影響。

阻抗Z 的實部R 稱為電阻，Z 的虛部X 稱為感抗。

附圖中，M、P、O為由軟磁材料制成的棒，三者在同一平面內，當K閉合后，（）。

經歸一化處理后的阻抗圖曲線以一系列影響阻抗的因素（如電導率、磁導率等）作參量。