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在室溫下，半導體Si中摻入濃度為10¹⁴cm^-3的磷雜質后，半導體中多數(shù)載流子是（），多子濃度為（），費米能級的位置（）；一段時間后，再一次向半導體中摻入濃度為1.1×10¹⁵cm^-3的硼雜質，半導體中多數(shù)載流子是（），多子濃度為（），費米能級的位置（）；如果，此時溫度從室溫升高至K550，則雜質半導體費米能級的位置（）。（已知：室溫下，n_i=10¹⁰cm^-3；K550時，n_i=10¹⁷cm^-3）