在常溫下，對于離子晶體來講，一般肖脫基缺陷形成能比弗侖克爾缺陷的形成能要大。

在低溫區(qū)域，愛因斯坦模型比德拜比熱模型更符合實際實驗結(jié)果，溫度愈低，吻合愈好。

將材料直接磨細(xì)的過程中，發(fā)現(xiàn)很難達(dá)到要求的細(xì)度，并且磨細(xì)后的材料團(tuán)聚在一起，不能分散，嚴(yán)重影響了它的使用，如何解決這一問題？

鐵電陶瓷只有經(jīng)過人工極化作用才具有壓電性。

介質(zhì)材料離子半徑增大時，其介電常數(shù)（）。

研究材料的塑性用的是牛頓模型。

晶須是一種幾乎無位錯和裂紋的材料，其實際強度接近于理論強度。

含雜質(zhì)的電解質(zhì)在低溫下固有電導(dǎo)占主要地位，在高溫下雜質(zhì)電導(dǎo)起主要作用。

負(fù)離子屏蔽

材料缺陷的概念是什么？缺陷分為哪幾種？