適合熔體生長(zhǎng)可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

陶瓷的種類繁多，生產(chǎn)制備過程各不相同，但一般都要經(jīng)歷以下哪幾個(gè)階段？（）

下列哪種方法不屬于化學(xué)反應(yīng)沉積鍍膜法？（）

不同金屬由于結(jié)構(gòu)不同，其能量表面能最低晶面也不相同，K，Na金屬為體心立方結(jié)構(gòu)，其最小奇異面是（）

氣相生長(zhǎng)晶體的關(guān)鍵是（）

膜層與基片的結(jié)合強(qiáng)度相比較：（）。

有關(guān)表面能級(jí)圖描述不正確的說法有（）。

按照坯料的性能可將成形方法分為哪幾類？（）

關(guān)于光滑界面與粗糙界面，下列說法正確的有（）

使參與反應(yīng)的氣態(tài)源交替地以脈沖方式分別射向襯底進(jìn)行外延生長(zhǎng)的方法是（）