晶體生長大致可以分為晶核的（）兩個階段。

下列哪種方法不屬于化學(xué)反應(yīng)沉積鍍膜法？（）

屬于影響成核過程的因素有（）

屬于一維材料的有（）

氣相生長的基本原理：氣相原子或分子運(yùn)動到晶體表面，在一定的條件下被晶體吸收，形成穩(wěn)定的（）。俘獲吸附原子，臺階運(yùn)動蔓延整個表面，便生長一層晶體薄膜。

適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

蒸鍍制膜主要包括的物理階段有（）

低維材料主要包括（）

納米微粒具有大比表面，表面原子數(shù)下降、表面能和表面張力隨粒徑下降急劇增加等現(xiàn)象，表現(xiàn)出哪些獨有的特性？（）

固相燒結(jié)的驅(qū)動力主要來源于坯料的（）