問答題簡述SHS過程影響因素
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不屬于影響成核過程的因素有（）
題型：單項選擇題
適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）
題型：多項選擇題
凝聚開始的條件主要取決于（）
題型：多項選擇題
降溫法生長關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。
題型：多項選擇題
利用電鍍得到的膜層疏松多孔，而且結(jié)合不良。怎樣改善膜層的結(jié)合力？（）
題型：單項選擇題
影響CVD質(zhì)量的因素有（）
題型：多項選擇題
蒸鍍制膜主要包括的物理階段有（）
題型：多項選擇題
不同金屬由于結(jié)構(gòu)不同，其能量表面能最低晶面也不相同，Pd，Pt為面心立方結(jié)構(gòu)，其最小奇異面是（）
題型：單項選擇題
薄膜的生長過程主要包含哪幾種類型？（）
題型：多項選擇題
屬于影響成核過程的因素有（）
題型：多項選擇題