使參與反應的氣態(tài)源交替地以脈沖方式分別射向襯底進行外延生長的方法是（）

屬于一維材料的有（）

臨界驅動力指維持確定半徑的晶核所需要的（）驅動力。

低維材料主要包括（）

降溫法生長關鍵控制技術包括（）等。

陶瓷燒結按照（）的不同可分為固相燒結和液相燒結。

膜層與基片的結合強度相比較：（）。

屬于影響成核過程的因素有（）

提拉法生長單晶體的優(yōu)點有（）

蒸鍍制膜主要包括的物理階段有（）