適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

固相燒結(jié)的驅(qū)動力主要來源于坯料的（）

氣相生長晶體的關(guān)鍵是（）

膜層與基片的結(jié)合強度相比較：（）。

低維材料主要包括（）

關(guān)于光滑界面與粗糙界面，下列說法正確的有（）

影響CVD質(zhì)量的因素有（）

屬于影響成核過程的因素有（）

蒸鍍制膜主要包括的物理階段有（）

臨界驅(qū)動力指維持確定半徑的晶核所需要的（）驅(qū)動力。