低維材料主要包括（）

適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

不同金屬由于結(jié)構(gòu)不同，其能量表面能最低晶面也不相同，Pd，Pt為面心立方結(jié)構(gòu)，其最小奇異面是（）

化學(xué)溶液鍍膜法主要包括（）

提拉法生長單晶體的優(yōu)點有（）

薄膜的生長過程主要包含哪幾種類型？（）

屬于一維材料的有（）

膜層與基片的結(jié)合強(qiáng)度相比較：（）。

陶瓷燒結(jié)按照（）的不同可分為固相燒結(jié)和液相燒結(jié)。

降溫法生長關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。