屬于影響成核過程的因素有（）

薄膜的生長過程主要包含哪幾種類型？（）

膜層與基片的結(jié)合強(qiáng)度相比較：（）。

屬于一維材料的有（）

完全光滑界面的生長是通過（）而進(jìn)行的。

利用電鍍得到的膜層疏松多孔，而且結(jié)合不良。怎樣改善膜層的結(jié)合力？（）

按照坯料的性能可將成形方法分為哪幾類？（）

有關(guān)表面能級(jí)圖描述不正確的說法有（）。

關(guān)于光滑界面與粗糙界面，下列說法正確的有（）

氣相生長晶體的關(guān)鍵是（）