適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

不同金屬由于結(jié)構(gòu)不同，其能量表面能最低晶面也不相同，K，Na金屬為體心立方結(jié)構(gòu)，其最小奇異面是（）

薄膜的生長過程主要包含哪幾種類型？（）

影響CVD質(zhì)量的因素有（）

化學(xué)溶液鍍膜法主要包括（）

CdSe隨著顆粒尺寸的見效，發(fā)光顏色從紅色像綠色和藍色移動，這種現(xiàn)象歸因于納米顆粒的什么特性？（）

蒸鍍制膜主要包括的物理階段有（）

提拉法生長單晶體的優(yōu)點有（）

關(guān)于光滑界面與粗糙界面，下列說法正確的有（）

完全光滑界面的生長是通過（）而進行的。