適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

有關(guān)表面能級圖描述不正確的說法有（）。

氣相生長的基本原理：氣相原子或分子運動到晶體表面，在一定的條件下被晶體吸收，形成穩(wěn)定的（）。俘獲吸附原子，臺階運動蔓延整個表面，便生長一層晶體薄膜。

CdSe隨著顆粒尺寸的見效，發(fā)光顏色從紅色像綠色和藍色移動，這種現(xiàn)象歸因于納米顆粒的什么特性？（）

降溫法生長關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。

膜層與基片的結(jié)合強度相比較：（）。

固相燒結(jié)的驅(qū)動力主要來源于坯料的（）

提拉法生長單晶體的優(yōu)點有（）

關(guān)于液相燒結(jié)正確的說法有（）

凝聚開始的條件主要取決于（）