A.縱傷 B.橫傷 C.氣孔 D.夾雜
A.采用小晶片 B.減少激發(fā)脈沖寬度和減少換能器自由振蕩時(shí)間 C.采用低頻晶片 D.采用方晶片
A.接收到的聲壓變化 B.頻率改變 C.脈沖幅度升高 D.波型改變