在制造硅半導(dǎo)體器體中,常使硼擴散到硅單晶中,若在1600K溫度下,保持硼在硅單晶表面的濃度恒定(恒定源半無限擴散),要求距表面10-3cm深度處硼的濃度是表面濃度的一半,問需要多長時間(已知D1600℃=8×10-12cm2/s;當(dāng)
時,
)?

已知氫和鎳在面心立方鐵中的擴散數(shù)據(jù)為
cm2/s和
cm2/s,試計算1000℃的擴散系數(shù),并對其差別進行解釋.
將T=1000℃代入上述方程中可得
,同理可知
原因:與鎳原子相比氫原子小得多,更容易在面心立方的鐵中通過空隙擴散。