填空題當(dāng)入射縱波大于第一臨界角小于第二臨界角時(shí),且CL2>CL1時(shí),第二介質(zhì)中只有存在。
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衍射時(shí)差法對(duì)缺陷的定量依賴于缺陷的回波幅度。
題型:判斷題
高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊,使之形成高溫耦合層。
題型:判斷題
缺陷垂直時(shí),擴(kuò)散波束入射至缺陷時(shí)回波較高,而定位時(shí)就會(huì)誤認(rèn)為缺陷在軸線上,從而導(dǎo)致定位不準(zhǔn)。
題型:判斷題
超聲波在圓柱內(nèi)反射,如果縱波在圓柱面上發(fā)生波形轉(zhuǎn)換,且一次反射橫波再經(jīng)另一側(cè)圓柱面波形轉(zhuǎn)換成二反射縱波,返回探頭接收,會(huì)形成等邊的三角形遲到回波。
題型:判斷題
缺陷相對(duì)反射率即缺陷反射聲壓與基準(zhǔn)反射體聲壓之比。
題型:判斷題
由于超聲波對(duì)進(jìn)入面的表面粗糙度、入射超聲束的方向等有一定的要求,必要時(shí)應(yīng)通過增添專門的工序,采用經(jīng)批準(zhǔn)的加工方法準(zhǔn)備超聲波進(jìn)入面。
題型:判斷題
當(dāng)探頭的性能不佳時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)主聲束,發(fā)現(xiàn)缺陷時(shí)很難判斷是哪個(gè)主聲束發(fā)現(xiàn)的,因此也就難以確定缺陷的實(shí)際位置。
題型:判斷題
在檢測(cè)晶粒粗大和大型工件時(shí),應(yīng)測(cè)定材料的衰減系數(shù),計(jì)算時(shí)應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。
題型:判斷題
無論聲波相對(duì)于缺陷是垂直入射還是斜入射,缺陷大小不同其反射波的指向性有相當(dāng)大的差異。
題型:判斷題
發(fā)射電壓幅度也就是發(fā)射脈沖幅度,它的高低主要影響發(fā)射的超聲波能量。
題型:判斷題