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單項(xiàng)選擇題

當(dāng)NPN型BJT的V_CE＞V_BE且V_BE＞0.5V時(shí)，則BJT工作在（）。

A.截止區(qū)
B.放大區(qū)
C.飽和區(qū)
D.擊穿區(qū)

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問(wèn)答題

【案例分析題】
由N溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管組成的電路如下圖所示。設(shè)U_GSQ=-0.2V, G_m=1.2ms。試求：

電路中的靜態(tài)工作點(diǎn)I_DQ和U_GSQ之值

答案：

問(wèn)答題

【案例分析題】
如圖所示運(yùn)放電路，已知R₁=6k，R₂=4k，R₃= R₄= R₅=6k，R₆= R₇=12k，R₈=6k，R_F1=24k，R_F2=4k，R_F3=6k，R=2k，u_i1=5mv，u_i2=-5mv，u_i3=6mv，u_i4=-12mv。

試求u_o1、u_o2、u_o

答案：

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