單項(xiàng)選擇題

由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加,近場(chǎng)區(qū)長(zhǎng)度迅速增加,()。

A. 對(duì)探傷有利
B. 對(duì)探傷不利
C. 半擴(kuò)散角增大
D. 超聲波能量發(fā)散

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