A.改變RF激勵(lì)位置
B.改變RF激勵(lì)頻率
C.改變層面選擇梯度磁場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)大小
D.改變層面選擇梯度磁場(chǎng)的方向
E.同時(shí)改變RF激勵(lì)位置和層面選擇梯度場(chǎng)強(qiáng)的大小
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A.層面選擇梯度磁場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)維持不變,只變化射頻脈沖頻率
B.不斷移動(dòng)射頻脈沖激勵(lì)的位置
C.射頻脈沖頻率不變,改變層面選擇梯度磁場(chǎng)方向
D.射頻脈沖頻率和層面選擇梯度磁場(chǎng)方向都不變
E.同時(shí)改變射頻脈沖頻率和層面選擇梯度磁場(chǎng)方向
A.一個(gè)很弱的均勻磁場(chǎng)
B.在一定方向上其強(qiáng)度隨空間位置而變化的磁場(chǎng)
C.始終與主磁場(chǎng)同方向的弱磁場(chǎng)
D.一個(gè)交變磁場(chǎng),其頻率等于拉莫爾頻率
E.一個(gè)交變磁場(chǎng),其頻率隨自旋質(zhì)子所在位置而不同
A.T2
B.磁化矢量最大值約為37%
C.自旋—晶格弛豫
D.自旋—自旋弛豫
E.相位由聚合變?yōu)槭?/p>
A.縱向弛豫
B.縱向恢復(fù)
C.橫向弛豫
D.橫向恢復(fù)
E.縱向平衡
A.1H
B.17O
C.23Ha
D.14N
E.19F
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