單項選擇題

下列關(guān)于漏磁場的敘述，正確的是（）。

A.內(nèi)部缺陷處的漏磁場比同樣大小的表面缺陷漏磁場大
B.缺陷的漏磁場通常與試件上的磁場強(qiáng)度成反比
C.表面缺陷的漏磁場，隨離開表面的距離增大而急劇下降
D.有缺陷的試件，才會產(chǎn)生漏磁場

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