版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？