集成電容主要有幾種結構？

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

由硅片生產的半導體產品，又被稱為（）。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產生的（）材料等。

從天然硅中獲得達到生產半導體器件所需純度的SGS要經過（）等步驟。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。