問答題

【簡答題】簡述光刻工藝的8個(gè)基本步驟。

答案：

①氣相成底膜；
②旋轉(zhuǎn)涂膠；
③軟烘；
④對(duì)準(zhǔn)和曝光；
⑤曝光后烘培（PEB）；
⑥顯影；
⑦堅(jiān)膜烘培；
⑧顯影檢查。

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【簡答題】簡述部分離子注入工藝的作用。

答案： ①深埋層注入：高能（大于200KEV）離子注入，深埋層的作用：減小襯底橫向寄生電阻，控制CMOS的閂鎖效應(yīng)。
...

【簡答題】簡述在先進(jìn)的CMOS工藝中，離子注入的應(yīng)用。

答案： ①深埋層注入；
②倒摻雜阱注入；
③穿通阻擋層注入；
④閾值電壓調(diào)整注入；
⑤輕...