在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。